美銀比 TrendForce 更樂觀，高價也放大回檔風險

TL;DR
· 美銀將第三季全球 DRAM ASP 漲幅上調至 21%，伺服器 DRAM 合約價已漲 20%-30%。
· 非 LTA 訂單佔比高、現貨連漲八週，是 DRAM 漲價繼續傳導的主要依據。
· 三星、SK 海力士、美光受惠於價格上行，但高價可能壓制下游補庫存。

作者：律動 BlockBeats

美銀最新通路查核三季全球 DRAM 平均銷售價格（ASP）較上季漲幅預期上調至 21%，明顯高於 TrendForce 先前給出的 13%-18% 一般型 DRAM 合約價漲幅區間。

這次上調的主角不是整個儲存產業的景氣修復，而是伺服器記憶體先漲了起來。美銀稱，三季伺服器 DRAM 合約價環比上漲 20%-30%，高於市場先前普遍預期的 20% 以下，主要由高速 LPDDR5 需求推動。

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對投資人來說，記憶體價格每上一個台階，最直接影響三星、SK 海力士、美光等儲存廠的營收和利潤彈性。它也在驗證 AI 伺服器、PC 和手機補庫存的強度。現在的問題是，記憶體價格已經漲到多年高位，第三季漲價能否順利落地，要看 9 月旺季拉貨和 AI 資本開支能否繼續傳導到訂單。

TrendForce 與美銀 DRAM/NAND ASP 預測比較：DRAM 第三季美銀為 + 21%，TrendForce 一般型 DRAM 為 + 13%-18%。

伺服器記憶體先漲，非 LTA 訂單放大價格彈性

美銀比 TrendForce 更樂觀，關鍵在於合約結構。

在伺服器 DRAM 市場，長期協議（LTA）沒有鎖住全部價格。美銀估算，非 LTA 銷售佔比達到 60%-70%，這部分價格更容易跟隨供需變動上調。即便在部分 LTA 合約下，供應商也能實現 5%-10% 的價格上漲。

這讓三季 DRAM 價格不完全由年初或前期協議決定。只要 AI 伺服器、高速 LPDDR5 和相關記憶體需求持續偏強，現貨和短約價格就會把漲幅傳導進 ASP。

美銀目前給出的 DRAM ASP 路徑是第二季環比 + 53%、第三季 + 21%、第四季 + 7%。與 TrendForce 相比，美銀對第三季仍明顯更樂觀，但第二季基數和統計口徑有差異。分歧集中在三季到底能漲多少，以及第四季漲幅會回落到什麼程度。

NAND 也在回暖，但不是這份報告最強的鉤子。美銀預計 NAND 第三季 ASP 較上季上升 15%，高於或接近 TrendForce 給出的 10%-15% 區間。本週 NAND 現貨中，1Tb 晶圓價格週環比上漲 4%，為第三季漲價提供了一定支撐。

現貨連漲八週，價格已經不便宜

DRAM 現貨價格已連續八週上漲，7 月價格持續較上月走高。美銀通路核查顯示，DDR5 和 DDR4 現貨都指向三季約 20% 的季增。

更需要警惕的是絕對價格。

目前 16Gb DDR5 現貨價格約 49.2 美元，季增 28%。 16Gb DDR4 現貨價格約 80.1 美元，季增 16%。伺服器 64GB DDR5 模組合約價格已經超過 1,400 美元。 NAND 1Tb 晶圓價格約 25.1 美元，也處於高位。

這組數字說明，記憶體漲價已經不是剛啟動的低位修復，而是進入異常高價區間。價格持續上漲會放大儲存廠利潤彈性，也會壓縮下游客戶補庫存的容忍度。一旦 PC、手機或部分伺服器客戶開始延後採購，現貨價格在夏季出現回檔並不意外。

這也是美銀判斷裡最重要的邊界。價格可以繼續漲，但不能把三季漲價直接外推成全年無風險上行。記憶體價格越高，需求彈性和客戶議價就越容易重新出現。

AI 資本開支也正在支撐記憶體需求

台積電和 ASML 的績效訊號，為記憶體需求提供了旁證。

台積電第二季淨營收約 402 億美元，年增 34%，營業利益率達 60.3%。更重要的是，台積電將 2026 年資本支出指引上調至 600 億 – 640 億美元，仍有美國工廠額外投資計畫。 AI 晶片、先進封裝和高階伺服器需求維持強勁，對 HBM、SOCAMM、企業級 SSD 等記憶體相關產品形成支撐。

ASML 二季淨銷售額 93 億歐元，較去年同期成長約 21%。按地區看，韓國佔第二季系統銷售約 43%。這說明韓國儲存廠仍在為後續先進製程和高頻寬記憶體需求投入設備。

這些訊號不能簡單等同於「記憶體價格一定會繼續漲」，但它們解釋了為什麼儲存漲價不只是短期炒作。 AI 伺服器擴充會消耗更多 HBM 和高階 DRAM，也會帶動配套 eSSD 和系統記憶體需求。只要資本開支沒有明顯放緩，記憶體供應商就有更強的談價基礎。

不過，AI 資本開支傳導到記憶體訂單需要時間。晶片廠、雲端廠商、伺服器 ODM、儲存廠之間的訂單節奏並不完全同步。若資本開支集中在邏輯晶片或先進封裝，未必會立刻轉換為所有 DRAM 和 NAND 品類的漲價。

補庫存資料偏強，但終端需求還沒全面跟上

供應鏈資料也支援記憶體價格短期偏強。

韓國海關數據經媒體轉述顯示，7 月 1 日至 10 日，韓國半導體出口額達 112 億美元，較去年同期成長 193%。美銀轉述數據也顯示，該數據較上季成長 1.3%，並已連續六個月達到三位數年成長。中國台灣科技公司 6 月銷售中，邏輯、代工和 ODM 環比表現較強，內存廠商則是年維度領漲。

中國進口數據同樣顯示補庫存仍在持續。美銀引述數據顯示，6 月中國積體電路進口額創下 596 億美元紀錄，較去年同期成長 72%。 5 月記憶體進口額達 308 億美元，佔總進口的 54%，年增 249%。

這些數據說明，需求端並不是只有單一顧客在拉貨。但它們不能直接證明終端消費已經全面復甦。

例如，美銀引述數據顯示，中國 5 月智慧型手機出貨量年增 19% 至 2,680 萬部，但第二季整體仍下滑 4.3%。這說明，部分進口和拉貨可能來自庫存重建、產品切換或供應安全考慮，而不完全是消費者需求突然加速。

以記憶體價格來說，補庫存可以推高短期 ASP。如果終端銷售跟不上，高價最終會反過來壓制顧客採購節奏。

21% 的樂觀數字，卡在高價和口徑分歧上

這份報告最值得關注的地方，是美銀把三季 DRAM ASP 漲幅推到 21%，並用伺服器合約價、現貨價格、資本開支和供應鏈數據共同支撐這個判斷。

但它仍有幾道限制。

第一，美銀和 TrendForce 在第二季高基數上有口徑差異。如果第二季實際漲幅更高，第三季較上季漲幅可能被壓低。第二，LTA 佔比雖然不到一半，但合約執行、客戶接受度和具體結算價格仍有變數。第三，目前 DDR5、DDR4 和伺服器模組價格已經處於多年高位，夏季現貨回檔可能隨時出現。

這也是內存股近期波動加大的原因。 2026 年以來，SanDisk、Kioxia 等部分記憶體相關股票漲幅巨大，但 7 月上半月又因財報不及預期擔憂出現回調。低市盈率不等於低風險，週期品在高價階段的利潤彈性和回檔速度往往同時放大。

第三季要驗證的，不是「記憶體有沒有漲價」，而是 20% 以上的 DRAM 漲幅能否在合約和現貨兩端同時落地。若 9 月旺季拉貨延續，AI 伺服器需求持續消化高價，美銀的樂觀預測就更容易兌現。若現貨先回檔、下游顧客延後採購，第三季 21% 的 ASP 漲幅會成為市場分歧最大的數字。

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